深入了解廢氣處理中低溫等離子技術(shù)

 

　　電場(chǎng)激起的電子，自在基受激分子（***要是O3等）等活性物質(zhì)是低溫等離子體技術(shù)凈化有機(jī)廢氣的關(guān)鍵。VOCs基團(tuán)的解離困難一方面取決于電子的能量，另一方面取決于分子中化學(xué)鍵的鍵能。電子在放電進(jìn)程中取得的能量***要會(huì)集在2至12eV之間，而VOCs分子分化所需的能量恰***在該區(qū)域內(nèi)。當(dāng)時(shí)，產(chǎn)生低溫等離子體的常用辦法是電暈放電和介電勢(shì)壘放電。電暈放電是在***氣壓或高于***氣壓的情況下，在電極外表運(yùn)用曲率半徑小的電極，例如針狀電極或細(xì)絲狀電極。因?yàn)榉烹娍臻g中的電場(chǎng)不均勻，電離進(jìn)程***要限于部分電場(chǎng)。接近高電極，尤其是接近電極或曲率半徑小的薄層并伴有顯著的亮堂放電，一般在高壓下產(chǎn)生（***于5kv）和更高頻率（20-40kHz）的條件下。

 

　　介電勢(shì)壘放電是一種氣體放電，由電極上的***緣介質(zhì)掩蓋或懸浮在放電空間中。當(dāng)在電極上施加足夠高的溝通電壓時(shí)，電極之間的氣體將被電離，電極之間的介質(zhì)能夠存儲(chǔ)能量，然后約束了放電電流的自在添加，從而產(chǎn)生了很多的細(xì)絲時(shí)刻短的推遲。脈沖微放電均勻且穩(wěn)定地充滿了整個(gè)放電空隙，一起能夠按捺火花或電弧的產(chǎn)生。

 

　　運(yùn)用介電勢(shì)壘放電辦法的等離子體反應(yīng)器一般運(yùn)用抗腐蝕的介電資料，例如陶瓷和石英。電極不直接與廢氣觸摸，能夠在必定程度上防止設(shè)備腐蝕問題。電暈放電技術(shù)（或針尖放電類型）一般運(yùn)用氣體直接與電極觸摸。即便經(jīng)過的氣體沒有腐蝕性，等離子體中的活性強(qiáng)氧化性物質(zhì)（例如臭氧）也或許腐蝕電極。相對(duì)而言，運(yùn)用介電勢(shì)壘放電辦法比電暈放電辦法（例如尖端放電）更安全。

 

　　值得注意的是，低溫等離子體技術(shù)***要破壞了有機(jī)分子中的化學(xué)鍵，但還不能徹底將有機(jī)物質(zhì)礦化成CO2和H2O。以某處理項(xiàng)目為例，非甲烷總烴的去除率僅為45％，惡臭的去除率可到達(dá)93％。這***要是因?yàn)樵谔幚砹朔羌淄榭偀N后，***分子變成了小分子，依然經(jīng)過色譜法檢測(cè)為非甲烷總烴。分化進(jìn)程中產(chǎn)生的一些臭味副產(chǎn)品（如臭氧）也會(huì)引起惡臭。去除率有必定的影響。因而，嚴(yán)峻的低溫等離子體技術(shù)供貨商一般還會(huì)在等離子體反應(yīng)器之前裝備一個(gè)預(yù)處理體系，以有用去除廢氣中的塵埃和水分，并在反應(yīng)器之后裝備一個(gè)后處理體系，以擴(kuò)展廢氣和活性，物質(zhì)的反應(yīng)時(shí)刻以及過量的活性物質(zhì)（***要是臭氧）被分化并消除。

 

　　氣體中呈現(xiàn)的自在電子只能從必定強(qiáng)度的電場(chǎng)中獲取能量，成為高能電子，然后它們才能與氣體分子產(chǎn)生磕碰，將能量轉(zhuǎn)移到分子中，并釋放出氣體分子中的外電子來自細(xì)胞核。許多自在電子和帶正電的離子。添加頻率將添加每單位時(shí)刻部分放電的均勻次數(shù)，而且放電的重復(fù)率將添加。但是，研討結(jié)果表明，當(dāng)電壓恒守時(shí)，污染物的去除率會(huì)跟著頻率的添加而先增***然后減小。在實(shí)踐使用中，應(yīng)充分考慮電源與等離子體反應(yīng)器之間的匹配聯(lián)系，并應(yīng)充分考慮共振的影響。